Transistor IRFZ48N MOSFET

Especificaciones y características

• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
• Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
• Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 64 A
• Corriente de drenaje pulsada IDP: 210 A
• Corriente de avalancha IAR: 32 A
• Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 130 W
• Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.014 ohms