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Transistor IRFZ44N MOSFET

Especificaciones y características

  • Baja resistencia RDS.
  • Temperatura de operación: 175°C.
  • VDSS=55V.
  • RDS=17.5mOhms (*mili).
  • ID=49A.
  • Potencia: 50W.
SKU G8M-B
Transistor Mosfet CANAL N
15,00 15,00