Transistor IRF9540N MOSFET

Especificaciones y características

• Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 8 A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
• Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
• Carga de compuerta (Qg): 63 nC
• Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF

SKU G8L-A