Transistor IRF830 MOSFET

Especificaciones y Características 

• Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V
  
• Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
  
• Tensión umbral Vgs:  4 V
• Intensidad drenaje continua Id: 4.5 A
• Disipación de Potencia Pd: 74 W
• Resistencia de activación Rds (on) typ: 1.2 ohm

SKU G8K-B