El IRF820 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de alta tensión y potencia. Es ideal para conmutación en circuitos de alta frecuencia y aplicaciones de control de motores, fuentes de alimentación y otros dispositivos de potencia. Su capacidad para manejar hasta 500V y 2.5A lo convierte en una opción confiable para diversos proyectos electrónicos.
Especificaciones y características:
- Tipo: MOSFET de canal N
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vds): 500V
- Corriente de Drenaje (Id): 2.5A
- Resistencia Drenaje-Fuente (Rds(on)): 3.0 ohmios (máx.)
- Voltaje de Umbral de Puerta (Vgs(th)): 2.0 – 4.0V
- Potencia de Disipación: 30W
- Capacitancia de Entrada (Ciss): 230pF (típico)
- Contenido: 1 pz
SKU G11I-B
