Transistor IRF730 MOSFET

Especificaciones y características: 

• Voltaje Drain – Source (VDSS): 400V
• Voltaje Drain – Gate (VDGR): 400V
• Voltaje Gate – Source (VGS): ± 20V
• Corriente Drain (ID): 5.5A
• Corriente Pulsada en Drain (IDM): 22A
• Resistencia de Conducción (RDS): 1 Ω
• Potencia Máxima Disipada (PD): 75W