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Transistor IRF640N MOSFET

Especificaciones y características:

  • Tipo de MOSFET: N-channel
  • Voltaje de Drenaje-Fuente (Vds): 200 V
  • Corriente de Drenaje (Id): 15 A
  • Voltaje de Puerta-Fuente (Vgs): ±20 V
  • Resistencia de Encendido (Rds(on)): 0.28 Ω (a Vgs = 10 V)
  • Potencia de Disipación (Pd): 94 W (con refrigeración adecuada)
  • Temperatura de Operación: -55°C a +170°C
  • Tiempo de Conmutación: Rápido
  • Encapsulado: TO-220
SKU G8J-B
Transistor Mosfet
15,00 15,00