Transistor IRF630N MOSFET

Especificaciones y características: 

• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
• Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
• Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 9 A
• Corriente de drenaje pulsada IDP: 36 A
• Corriente de avalancha IAR: 9 A
• Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 72 W
• Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.4 Ohms