Transistor IRF540N MOSFET

Especificaciones y características:

• Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
• Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
• Carga de compuerta (Qg): 72 nC
• Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
• Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.077 Ohm

SKU G8I-C