Transistor IRF530N MOSFET

Especificaciones y características: 

• Intensidad drenador continua Id: 17 A
• Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 100 V
• Tensión umbral Vgs: 2 V
• Disipación de potencia Pd (Tc=25°C): 105 W
• Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.090 ohm
• Temperatura de operación mínima: -55 °C
• Temperatura de operación máxima: 150 °C

SKU G8I-B