Transistor IRF520N MOSFET

Especificaciones y características: 

• Voltaje drenaje-fuente: 100V
•  Voltaje compuerta-fuente: 20V
•  Corriente continua de drenaje: 9.7A
•  Estilo de montaje: Through Hole
• Puerta de carga Qg: 16.7 nC
•  Disipación de energía: 48 W

SKU G8I-A