Transistor IRF3710 MOSFET

Especificaciones y características: 

• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
• Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
• Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 57 A
• Corriente de drenaje pulsada IDP: 230 A
• Corriente de avalancha IAR: 28 A
• Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 200 W
• Resistencia de activación RDS(on) máxima: 23 mΩ

SKU G8L-B