El IRF1010 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de alta potencia y conmutación rápida. Con una baja resistencia de encendido y alta capacidad de corriente, es ideal para circuitos de potencia y control de motores.
Especificaciones y características:
- Tipo: MOSFET de canal N
- Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 60V
- Corriente de drenaje (Id): 84A (a 25°C)
- Resistencia de encendido (Rds(on)): 0.012 ohmios
- Tensión de compuerta-fuente (Vgs): ±20V
- Disipación de potencia (Pd): 200W
- Temperatura de operación: -55°C a 175°C
- Contenido: 1 pz
SKU G10I-D
