El BTW69200NS es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Con una baja resistencia de encendido y un alto voltaje de drenaje a fuente, ofrece un rendimiento confiable y robusto en aplicaciones de conmutación rápida y control de potencia.
Especificaciones y características:
- Tipo de Transistor: MOSFET N-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vds): 200 V
- Corriente de Drenaje (Id): 60 A
- Resistencia de Encendido (Rds(on)): 0.16 Ω a Vgs = 10 V
- Voltaje de Puerta a Fuente (Vgs): ±20 V
- Potencia de Disipación (Pd): 94 W
- Temperatura de Operación: -55 °C a +150 °C
- Encapsulado: TO-220
- Contenido: 1 pz
SKU G7M-B
