El transistor BJT 2P4M es un transistor de unión bipolar (BJT) de tipo NPN diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos electrónicos. Su robusta construcción y características de rendimiento lo hacen adecuado para aplicaciones en dispositivos electrónicos de consumo y equipos industriales.
Especificaciones y características:
- Tipo de Transistor: NPN
- Voltaje inverso pico repetitivo máximo: 500 V
- Corriente RMS de encendido: 4 A
- Corriente transitoria no repetitivo: 20 A
- Disipación de potencia promedio en la puerta a Tj = 125℃: 0.2 W
- Temperatura de operación: -40 °C a 150 °C
- Encapsulado: TO-126
- Contenido: 1 pz
SKU G12N-C
