El 2SD669 es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN diseñado para aplicaciones de alta potencia. Ofrece un alto voltaje de colector-emisor y una corriente de colector considerable, haciéndolo adecuado para circuitos de amplificación y conmutación en dispositivos electrónicos.
Especificaciones y características:
- Tipo de Transistor: NPN
- Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 120 V
- Voltaje Colector-Base (Vcbo): 120 V
- Voltaje Emisor-Base (Vebo): 5 V
- Corriente de Colector (Ic): 1.5 A
- Ganancia de Corriente Directa (hFE): entre 40 y 320, dependiendo de la corriente de colector
- Potencia Disipada (Ptot): 20 W (con disipador adecuado, a Tc ≤ 25 °C)
- Temperatura de Funcionamiento: -55°C a +150°C
- Frecuencia de transición (fT): 100 MHz
- Encapsulado: TO-126
- Contenido: 1 pz
SKU G12L-F
