Especificaciones y características:
- Tipo de Transistor: JFET canal N
- Encapsulado: TO-92
- Pines: 3
- Altura: 18 mm
- Longitud: 4.19 mm
- Ancho: 3.45 mm
- Peso de la unidad: 0.18 g
- Vds Máximo Drain-Source: 25 V
- Vgs Máximo Gate-Source: ±8 V
- Corriente máxima de drenaje Id: 50 mA
- Disipación máxima de potencia: 350 mW
- Resistencia de drenador-fuente en conducción (Rds on): ~300 kΩ
- Capacitancia de entrada típica: Muy baja (ideal para RF, <5 pF)
- Frecuencia máxima de operación: Hasta 450 MHz
- Temperatura de Funcionamiento Máxima: +150 ºC
- Temperatura Mínima de Funcionamiento: -55 °C
- Aplicaciones típicas: Amplificadores de RF, mezcladores, preamplificadores de audio, conmutación analógica
- Contenido: 1 pz
SKU G14P-B
