El transistor BJT 13003 es un transistor de unión bipolar NPN de alta potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación. Ofrece una alta capacidad de corriente y un bajo nivel de saturación, lo que lo hace ideal para el manejo de cargas pesadas y circuitos de conmutación en dispositivos electrónicos.
Especificaciones y características:
- Tipo de Transistor: NPN
- Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 400 V
- Voltaje Colector-Base (Vcbo): 600 V
- Voltaje Emisor-Base (Vebo): 9 V
- Corriente de Colector (Ic): 1.25 A
- Ganancia de Corriente de Transferencia (hFE): 10
- Potencia de Disipación (Pc): 20 W
- Frecuencia de Corte (fT): 8 MHz
- Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
- Encapsulado: TO-126
- Contenido: 1 pz
SKU G12M-D
